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                SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4引见及区别

                2017-02-07 13:58泉源:中国存储网
                导读:SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4引见及区别,SDRAM:同步静态随机拜访存储器,SRAM:静态随机拜访存储器,与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率

                SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4引见及区别

                SRAM:静态随机拜访存储器

                一个SRAM存储单位由4个晶体管和2个电阻器构成,应用晶体管的形态切换来存储数据,而不是电容器,因而读数据时不存在泄电题目,不需求革新操纵。但是由于SRAM需求的晶体管数多,因而本钱高。

                DRAM:静态随机拜访存储器

                一个DRAM存储单位由1个晶体管和1个电容器构成,应用电容量存储电量的几多来存储数据,由于电容器存在泄电题目,因而需求活期革新。读数据时,电容量的电量会消逝,因而每次拜访之后,也需求革新,以避免数据丧失。

                SDRAM:同步静态随机拜访存储器

                同步是指 Memory任务需求同步时钟,外部的下令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需求等候一段工夫,用于充电操纵。而SDRAM一个模组有两个bank,在对一个bank充电时,可以操纵另一个bank,完成流水线。

                SDRAM的开展曾经阅历了五代:辨别是SDR SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。

                DDR3:

                2005年制造出DDR3的原型产物。2007年,市场开端运用DDR3内存芯片。

                与DDR2相比,DDR3接纳8bit预取,因而提供更高的传输速率(2133MT/s);更低的任务电压(1.5V,DDR2任务电压为1.8V),别的接纳了差别的封装工艺,因而能耗更低。

                耽误周期异样比DDR2增长,引脚数添加。

                DDR4:

                2011年,samsung宣布消费出第一个DDR4内存模块。2012年,samsung、Micron等开端量产DDR4 SDRAM芯片。

                与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率(4166MT/s);更低的任务电压(1.05~1.2V),因而能耗更低。

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                要害词 :
                SRAM SDRAM
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