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                种种存储器比拟(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

                2017-02-07 14:00泉源:中国存储网
                导读:种种存储器比拟(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出忆阻器在集成密度,数据的读写工夫有着比拟分明的劣势
                种种存储器比拟(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)种种存储器比拟(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

                综合起来可以看出忆阻器在集成密度,数据的读写工夫有着比拟分明的劣势,

                Endurance:代表器件最大的擦写次数;

                STTRAM:自旋扭矩转换随机存储器,物理机制是磁致阻变效应;

                SRAM:静态随机存储器,次要用来制造CPU与主板之间的缓存。

                • 长处是速率快(可以看到这种存储器的读写速率是最快的);
                • 缺陷是集成密度低,失电不克不及保管数据。

                DRAM:静态随机存储器,用处次要在内存上。忆阻器的大局部参数可以和DRAM相比,也可以用来制造内存。

                Flash(NAND):闪存。用处:固态硬盘,便携式存储器。

                HDD:硬盘。

                • 长处是价钱昂贵(这种存储器的单元容量所需求的价钱是最低的,
                • 缺陷也是不言而喻的,读写速率比其他存储器低许多数目级。
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                要害词 :
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