北京快三开奖

  • <tr id="U9YkSO"><strong id="U9YkSO"></strong><small id="U9YkSO"></small><button id="U9YkSO"></button><li id="U9YkSO"><noscript id="U9YkSO"><big id="U9YkSO"></big><dt id="U9YkSO"></dt></noscript></li></tr><ol id="U9YkSO"><option id="U9YkSO"><table id="U9YkSO"><blockquote id="U9YkSO"><tbody id="U9YkSO"></tbody></blockquote></table></option></ol><u id="U9YkSO"></u><kbd id="U9YkSO"><kbd id="U9YkSO"></kbd></kbd>

    <code id="U9YkSO"><strong id="U9YkSO"></strong></code>

    <fieldset id="U9YkSO"></fieldset>
          <span id="U9YkSO"></span>

              <ins id="U9YkSO"></ins>
              <acronym id="U9YkSO"><em id="U9YkSO"></em><td id="U9YkSO"><div id="U9YkSO"></div></td></acronym><address id="U9YkSO"><big id="U9YkSO"><big id="U9YkSO"></big><legend id="U9YkSO"></legend></big></address>

              <i id="U9YkSO"><div id="U9YkSO"><ins id="U9YkSO"></ins></div></i>
              <i id="U9YkSO"></i>
            1. <dl id="U9YkSO"></dl>
              1. <blockquote id="U9YkSO"><q id="U9YkSO"><noscript id="U9YkSO"></noscript><dt id="U9YkSO"></dt></q></blockquote><noframes id="U9YkSO"><i id="U9YkSO"></i>
                企业空间 推销商城 存储论坛
                北京快三开奖全闪存阵列 IBM云盘算 Acronis 安克诺斯 安腾普 腾保数据
                首页 > 存储百科 > 存储技能 > 注释

                SRAM存储器原理引见

                2015-02-07 14:20泉源:中国存储网
                导读:SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器,SRAM次要使用于需求缓存比拟小或对功耗有要求的零碎。

                SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有运动存取功用的内存,不需求革新电路即能保管它外部存储的数据。 

                SRAM次要使用于需求缓存比拟小或对功耗有要求的零碎。比方,许多8 BIT MCU,由于能支持的RAM比拟小,外部缓存又不敷;或许16 BIT MCU,支持的RAM比拟大,但对功耗有要求而无法用DRAM的零碎。
                SRAM与DRAM的区别

                 

                SRAM

                DRAM

                构造

                     6个晶体管为1个存储单位(GIGADEVICE2晶体管,但STANDBY电流大),

                1个晶体管为1个存储单位,但需求革新。

                 

                任务形态下

                10Ma-30mA

                100mA以上  

                Standby(待机)

                1uA-20uA  

                10mA以上

                存取速率  

                快的普通为101215nS左右,慢的普通为55nS70nS  

                快,普通小于10nS

                容量  

                现在最大到16M BIT  

                单片能到 512M BIT  

                  SRAM的使用范畴

                使用范畴

                通讯、仪器仪表等

                字典机、POS、打印机、游戏机、工控、仪器仪表等

                10mA以上

                容量(BIT)

                256K1M2M4M

                256K1M2M4M8M16M

                快,普通小于10nS

                容量  

                现在最大到16M BIT  

                单片能到 512M BIT  

                 相干引荐:

                DRAM存储器原理引见

                持续阅读
                要害词 :
                SRAM 存储器
                相干阅读
                • RST 英特尔疾速存储技能

                  英特尔疾速存储技能,简称Intel RST,整合了磁盘办理顺序控制台及SATA、AHCI、RAID驱动顺序,次要用于Intel芯片组的磁盘办理、使用支持、形态检查等使用。

                • EEPROM和EPROM存储器详解

                  EPROM和EEPROM是差别的,EPRO为“可擦除可编程只读存储器”,EEPROM即电可擦除可编程只读存储器,其内容在失电的时分也不会丧失。

                • 八进制和十六进制及对应干系表

                  二进制、八进制、十进制、十六进制的对应干系,八进制有0~7共8个数字,基数为8,逢八进一,借一当八;十六进制中,用A来表现10,B表现11,C表现12,D表现13,E表现14,F表

                • SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4引见及区别

                  SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4引见及区别,SDRAM:同步静态随机拜访存储器,SRAM:静态随机拜访存储器,与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率

                • 二进制原理及与十进制比较表

                  既然可以用 0~9 共十个数字来表现数值,那么也可以用0、1两个数字来表现数值,这便是二进制(Binary)。

                产物引荐

                头条阅读

                Copyright @ 2006-2019 ChinaStor.COM 版权一切 京ICP备14047533号

                中国存储网

                存储第一站,存储流派,存储在线交换平台