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                SRAM存储器原理引见

                2015-02-07 14:20泉源:中国存储网
                导读:SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器,SRAM次要使用于需求缓存比拟小或对功耗有要求的零碎。

                SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有运动存取功用的内存,不需求革新电路即能保管它外部存储的数据。 

                SRAM次要使用于需求缓存比拟小或对功耗有要求的零碎。比方,许多8 BIT MCU,由于能支持的RAM比拟小,外部缓存又不敷;或许16 BIT MCU,支持的RAM比拟大,但对功耗有要求而无法用DRAM的零碎。
                SRAM与DRAM的区别

                 

                SRAM

                DRAM

                构造

                     6个晶体管为1个存储单位(GIGADEVICE2晶体管,但STANDBY电流大),

                1个晶体管为1个存储单位,但需求革新。

                 

                任务形态下

                10Ma-30mA

                100mA以上  

                Standby(待机)

                1uA-20uA  

                10mA以上

                存取速率  

                快的普通为101215nS左右,慢的普通为55nS70nS  

                快,普通小于10nS

                容量  

                现在最大到16M BIT  

                单片能到 512M BIT  

                  SRAM的使用范畴

                使用范畴

                通讯、仪器仪表等

                字典机、POS、打印机、游戏机、工控、仪器仪表等

                10mA以上

                容量(BIT)

                256K1M2M4M

                256K1M2M4M8M16M

                快,普通小于10nS

                容量  

                现在最大到16M BIT  

                单片能到 512M BIT  

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