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                EEPROM和FLASH有什么区别?

                2017-02-07 18:28泉源:中国存储网
                导读:EEPROM和FLASH 的最次要的区别便是:1.EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。

                上文:EEPROM和EPROM存储器详解中引见了EEPROM,EPROM,我们晓得了:

                EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单位(Floating gate transister)的构造。

                EPROM的浮栅处于绝缘的 二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,

                EEPROM的单位是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister构成,由于FLOTOX的特性及两管构造,以是可以单位读/写。

                技能上,FLASH是联合EPROM和EEPROM技能到达的,许多FLASH运用雪崩热电子注入方法来编程,擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但次要的差别是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就低落了设计的庞大性,它可以不要 EEPROM单位里谁人多余的Tansister,以是可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也差别,写入速率更快。

                实在关于用户来说,EEPROM和FLASH 的最次要的区别便是:

                1.EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。

                2.EEPROM 普通容量都不大,假如大的话,EEPROM绝对与FLASH 就没有价钱上的劣势了。市道市情上卖的stand alone 的EERPOM 普通都是在64KBIT 以下,而FLASH 普通都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。

                3.读的速率的话,应该不是两者的差异,只是EERPOM普通用于低端产物,读的速率不需求那么快,真要做的话,实在也是可以做的和FLASH差未几。

                4.由于EEPROM的存储单位是两个管子而FLASH 是一个(SST的除外,相似于两管),以是CYCLING 的话,EEPROM比FLASH 要好一些,到1000K次也没有题目的。

                总的来说,对与用户来说,EEPROM和FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产物,容量低,价钱廉价,但是波动性较FLASH要好一些。

                但关于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不管是从工艺上的照旧从核心电路设计下去说。

                Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改良产物。它的最大 特点是必需按块(Block)擦除(每个区块的巨细不定,差别厂家的产物有差别的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一 个字节(Byte)。现在“闪存”被普遍用在PC机的主板上,用来保管BIOS顺序,便于停止顺序的晋级。其别的一大使用 范畴是用来作为硬盘的替换品,具有抗震、速率快、无噪声、耗电低的长处,但是将其用来代替RAM就显得分歧适, 由于RAM需求可以按字节改写,而Flash ROM做不到。

                一些根本的存储器观点

                ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在零碎中止供电的时分依然可以坚持数据,而RAM通常都是在失电之后就丧失数据,典范的RAM便是盘算机的内存。

                RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速率十分快,是现在读写最快的存储设置装备摆设了,但是它也十分昂贵,以是只在要求很苛刻的中央运用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲。另一种称为静态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保存数据的工夫很短,速率也比SRAM慢,不外它照旧比任何的ROM都要快,但从价钱下去说DRAM相比SRAM要廉价很 多,盘算机内存便是DRAM的。

                DRAM分为许多种,罕见的次要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里引见此中的一种DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改良型的RAM和SDRAM是根本一样的,差别之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,如许就使得数据传输速率更加了。这是现在电脑中用 得最多的内存,并且它有着本钱劣势,现实上击败了Intel的别的一种内存规范-Rambus DRAM。在许多高真个显卡上,也装备了高速DDR RAM来进步带宽,这可以大幅度进步3D减速卡的像素渲染才能。

                ROM也有许多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也便是软件注意灌输后,就无法修 改了,这种是晚期的产物,如今曾经不行能运用了,而EPROM是经过紫外光的照射擦出原先的顺序,是一种通用的存储器。别的一种EEPROM是经过电子擦 出,价钱很高,写入工夫很长,写入很慢。

                举个例子,手机软件普通放在EEPROM中,我们打德律风,有些最初拨打的号码,临时是存在SRAM中的,不是立刻写入经过记载(通话记载保管在EEPROM中),由于事先有很紧张任务(通话)要做,假如写入,漫长的等候是让用户忍辱负重的。

                FLASH存储器又称闪存,它联合了ROM和RAM的优点,不只具有电子可擦出可编程(EEPROM)的功能,还不会断电丧失数据同时可以疾速读取数据 (NVRAM的劣势),U盘和MP3里用的便是这种存储器。在过来的20年里,嵌入式零碎不断运用ROM(EPROM)作为它们的存储设置装备摆设,但是比年来 Flash片面替代了ROM(EPROM)在嵌入式零碎中的位置,用作存储Bootloader以及操纵零碎或许顺序代码或许间接当硬盘运用(U盘)。

                现在Flash次要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们罕见的SDRAM的读取是一样,用户可以间接运转装载在NOR FLASH外面的代码,如许可以增加SRAM的容量从而浪费了本钱。NAND Flash没有接纳内存的随机读取技能,它的读取因此一次读取一快的方式来停止的,通常是一次读取512个字节,接纳这种技能的Flash比拟便宜。用户 不克不及间接运转NAND Flash上的代码,因而很多多少运用NAND Flash的开辟板除了运用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运转启动代码。

                普通小容量的用NOR Flash,由于其读取速率快,多用来存储操纵零碎等紧张信息,而大容量的用NAND FLASH,最罕见的NAND FLASH使用是嵌入式零碎接纳的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。现在市道市情上的FLASH 次要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而消费NAND Flash的次要厂家有Samsung和Toshiba。

                话说SRAM,DRAM,SDRAM

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                SRAM 是Static Random Access Memory的缩写,中文寄义为静态随机拜访存储器,它是一品种型的半导体存储器。"静态"是指只需不失电,存储在SRAM中的数据就不会丧失。这一点与 静态RAM(DRAM)差别,DRAM需求停止周期性的革新操纵。 然后,我们不该将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混杂,由于SRAM是一种易失性存储器,它只要在电源坚持延续供给的状况下才干够坚持数据。"随机拜访"是指存储器的内容可以以任何次序访 问,而不论前一次拜访的是哪一个地位。

                SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中,这四个晶体管构成了两个穿插耦合反向器。这个存储单位具有两个波动形态,通常表现为0和1。别的还需求两个访 问晶体管用于控制读或写操纵进程中存储单位的拜访。因而,一个存储位通常需求六个MOSFET。对称的电路构造使得SRAM的拜访速率要快于DRAM。 SRAM比DRAM拜访速率快的别的一个缘由是SRAM可以一次接纳一切的地点位,而DRAM则运用行地点和列地点复用的构造。

                SRAM不该该与SDRAM相混杂,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全差别的。SRAM也不该该与PSRAM相混杂,PSRAM是一种假装成SRAM的DRAM。

                从晶体管的范例分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功用上分,SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的拜访 独立于时钟,数据输出和输入都由地点的变革控制。同步SRAM的一切拜访都在时钟的上升/降落沿启动。地点、数据输出和别的控制信号均于时钟信号相干。

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                要害词 :
                EEPROM flash
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