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                三星电子第七代V-NAND闪存将到达至多160层

                2020-04-21 07:29泉源:科技号
                导读:三星电子正在开辟其第7代V-NAND闪存,第一款产物将至多到达160层。

                科技号音讯,依据外媒的报道,三星电子正在开辟其第7代V-NAND闪存,第一款产物将至多到达160层。

                三星电子第七代V-NAND闪存将到达至多160层

                外媒表现,三星的160层的V-NAND产物能够会在长江贮存128层产物少量上市时推出,工夫约莫是2020年末。

                4月13日,长江存储科技无限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发乐成,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产物上经过验证。长江存储表现,X2-6070拥有业内已知型号产物中最高单元面积蓄储密度,最高I/O传输速率和最高单颗NAND 闪存芯片容量,拥有1.6Gb/s高速读写功能和1.33Tb高容量。

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                要害词 :
                三星 V-NAND 闪存
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