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                2021年量产 三星拟投建新NAND Flash消费线

                2020-06-01 16:21泉源:环球闪存市场
                导读:2020年6月1日,三星电子 (Samsung Electronics) 宣布,将在京畿道平泽产业园区投建先辈的NAND Flash闪存消费线。该扩建工程于往年5月开端,将为2021年下半年大范围消费三星的尖端V-NAND存储器摊平路途。据三星官方消...

                半导体同盟音讯,2020年6月1日,三星电子 (Samsung Electronics) 宣布,将在京畿道平泽产业园区投建先辈的NAND Flash闪存消费线。该扩建工程于往年5月开端,将为2021年下半年大范围消费三星的尖端V-NAND存储器摊平路途。

                据三星官方音讯指出,新工场位于韩国平泽2号线内,方案于2021年2月量产,将专门用于制造三星开始进的V-NAND存储器。

                在不久前,5月21日,三星电子官方宣布了将在平泽市再投建一条全新的晶圆代工消费线,以满意环球对极紫外光刻技能 (EUV) 的需求。时隔10天,三星再次宣布新的NAND Flash产线投资方案。

                固然官方暂未发布详细投资金额,但业界揣测该新晶圆代工消费线和NAND消费线的投资范围,或辨别到达10万亿和8万亿韩元。

                三星电子表现,这次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的遍及而带来的NAND需求。业者以为,三星电子近期延续宣布的投资方案,尤其是在现在新冠疫情重创环球经济的状况下,反应出其欲在环球闪存市场持续拉大劣势的决计。

                现在,EUV晶圆代工消费和NAND闪存消费所需的干净室已在动手建立中,夺取在2021年下半年可以投产5纳米EUV芯片及V-NAND闪存产物。

                封面图片泉源:三星电子官网

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