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                DDR4内存规范要害属性地下:电压仅1.2V

                2011-08-06 21:20泉源:中国存储网
                导读:EDEC固态技能协会声称,DDR4将具有一系列创新特性,可带来更快的运转速率和普遍的适用性,包罗效劳器、条记本、台式机、消耗电子产物等等,其频率、电压和架构也都在停止重新界说,目的是简化新规范的迁徙和摆设。

                JEDEC固态技能协会明天发布了DDR4内存规范中的局部要害属性,并宣布将在2012年年中正式公布新一代内存规范标准,相比于DDR3获得严重功能提拔,同时持续低落功耗。

                JEDEC固态技能协会声称,DDR4将具有一系列创新特性,可带来更快的运转速率和普遍的适用性,包罗效劳器、条记本、台式机、消耗电子产物等等,其频率、电压和架构也都在停止重新界说,目的是简化新规范的迁徙和摆设。

                发起中的道路图表现,DDR4内存的VDDQ电压将设定在仅仅1.2V,并在将来进一步低落VDD电压,别的还会包管I/O电压的波动。相比之下,DDR3规范版电压为1.5V,高压版也有1.35V。

                DDR4内存每个针脚的数据传输率将到达1.6Gbps,最高会打击3.2Gbps。思索到DDR3就无望突破1.6GT/s的极限,DDR4在将来应该还会具有更高的功能水准。别的发起中的功能改良还包罗:DQ总线伪开漏接口(pesudo open drain interface)、2667MHz及更高数据率的低速档形式(geardown mode)、bank分组架构(bank group)、外部天生VreDQ电压、训练形式(training mode)改良。

                DDR4架构上接纳了8n预取的bank分组,包罗运用两个或许四个可选择的bank分组,这将使得DDR4内存的每个bank分组都有独立的激活、读取、写入和革新操纵,从而改良内存的全体服从和带宽,尤其是在运用较小的内存粒度(memory granularity)的时分。

                在此之前,三星和海力士曾经辨别造出了实验性的DDR4内存条。估计DDR4内存将于2014年投入商用,2015年即敏捷遍及。

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                DDR4内存 内存产
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