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                Ansys RaptorH可抵挡2.5D / 3D集成电路和零碎中的电磁效应

                2020-05-01 23:55泉源:中国存储网
                导读:Ansys RaptorH电磁(EM)仿真处理方案经过Samsung Foundry认证,可协助三星设计职员对EM景象停止建模。

                中国存储网编译音讯,2020年4月30日Ansys  RaptorH电磁(EM)仿真处理方案经过Samsung Foundry认证。该方案用于开辟先辈的单片机零碎(SoC)和二维/三维集成电路(2.5D / 3D-IC)。该认证使Ansys可以在接纳三星新的签核流程时协助三星设计师和三星代工客户更精确地剖析弛缓解EM效应带来的危害,从而明显放慢了先辈人工智能(AI)高功能盘算的开展(HPC)和5G半导体设计。

                三星的一系列先辈的纳米硅和2.5D / 3D-IC技能需求一种签核办法,以验证对庞大的多芯片组件发生负面影响的EM搅扰,而这是传统东西无法完成的义务。工程师需求运用大容量的EM剖析东西来对超大型SoC和2.5D / 3D组件的信号完好性停止精确建模,然后者会以很高的数据速率处置信号。2.5D / 3D-IC中信号之间难以量化的互相作用是毛病的要害点,并限定了新技能的接纳率。

                RaptorH的高度集成的剖析处理方案将Ansys HFSS的高保真度,高频电磁求解器与Ansys RaptorX的超疾速度和弱小的体系构造相联合,可协助三星设计职员对EM景象停止建模,并充溢决心地将更高频率推向其2.5D / 3D芯片组件寄失效应不会侵害零碎。这将推进这些新包装技能更快地进入主流消费,并明显低落危害。

                三星电子铸造设计平台开辟实行副总裁Jaehong Park博士说:“数据速率的进步,电子零碎集成程度的进步和封装密度的进步,招致对新型EM剖析功用的需求到达史无前例的范围。” “应用Ansys RaptorH,我们的才气横溢的工程团队可以克制不受欢送的EM景象,从而延长设计周期,增加预算并进步功能。”

                “ RaptorH持续与三星坚持着深沉的干系,提供了加强的签核流程,以消弭来自EM搅扰的危害,并间接支持三星开辟尖真个AI,HPC和5G半导体设计。RaptorH将协助三星设计职员和代工客户减少芯片尺寸,低落功率需求,低落本钱并放慢产物上市速率。” Ansys工程副总裁Yorgos Koutsoyannopoulos说道。“该处理方案还展现了Ansys的才能,不只可以将Helic等新收买的产物疾速整合到我们的产物组合中,还可以减速增长,为环球客户带来急需的处理方案。”

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                要害词 :
                Ansys
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