北京快三开奖

  • <tr id="U9YkSO"><strong id="U9YkSO"></strong><small id="U9YkSO"></small><button id="U9YkSO"></button><li id="U9YkSO"><noscript id="U9YkSO"><big id="U9YkSO"></big><dt id="U9YkSO"></dt></noscript></li></tr><ol id="U9YkSO"><option id="U9YkSO"><table id="U9YkSO"><blockquote id="U9YkSO"><tbody id="U9YkSO"></tbody></blockquote></table></option></ol><u id="U9YkSO"></u><kbd id="U9YkSO"><kbd id="U9YkSO"></kbd></kbd>

    <code id="U9YkSO"><strong id="U9YkSO"></strong></code>

    <fieldset id="U9YkSO"></fieldset>
          <span id="U9YkSO"></span>

              <ins id="U9YkSO"></ins>
              <acronym id="U9YkSO"><em id="U9YkSO"></em><td id="U9YkSO"><div id="U9YkSO"></div></td></acronym><address id="U9YkSO"><big id="U9YkSO"><big id="U9YkSO"></big><legend id="U9YkSO"></legend></big></address>

              <i id="U9YkSO"><div id="U9YkSO"><ins id="U9YkSO"></ins></div></i>
              <i id="U9YkSO"></i>
            1. <dl id="U9YkSO"></dl>
              1. <blockquote id="U9YkSO"><q id="U9YkSO"><noscript id="U9YkSO"></noscript><dt id="U9YkSO"></dt></q></blockquote><noframes id="U9YkSO"><i id="U9YkSO"></i>
                企业空间 推销商城 存储论坛
                北京快三开奖全闪存阵列 IBM云盘算 Acronis 安克诺斯 安腾普 腾保数据
                首页 > 存储器/芯片 > 注释

                三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

                2019-12-02 15:49泉源:腾讯科技
                导读:三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128层256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于该技能已批量消费250GB SATA SSD

                日前,在举行的Samsung SSD Forum 2019 Tokyo上,三星电子存储器部分产物计划团队初级董事总司理Jinman表现,三星128层第六代V-NAND已完成了512Gb TLC容量的量产,方案于2020年投入市场使用,且正在针对5年内到达500层或更多层的货仓停止研讨。

                三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

                三星V-NAND技能计划

                三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

                三星第六代V-NAND技能

                三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128层256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于该技能已批量消费250GB SATA SSD,现在完成了第六代128层512Gb TLC 3D NAND的量产,将放慢导入到SSD和eUFS的使用。

                128层3D NAND,三星与SK海力士地下睁开竞争

                128层3D NAND是96层下一代技能,除了三星,SK海力士也是在6月份宣布推出首款128层TLC 4D NAND,11月份向次要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品,并较预期提早量产,基于该技能将推出1TB UFS 3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD,方案于2020年完成在5G手机、PC、企业级市场的商用。

                三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

                SK海力士128层4D NAND

                三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

                SK海力士基于128层4D NAND的产物

                在128层3D NAND技能上,三星和SK海力士开展的工夫历程大要分歧,西部数据/铠侠、美光等虽有128层3D NAND技能,但尚未地下公布基于该技能的产物,以是与三星地下睁开竞争的是SK海力士。

                依据Jinman引见,三星第六代V-NAND完成的是128层堆叠,1200Mbps的IO速率,量产的是256Gb、512Gb容量。值得留意的是,与SK海力士128层4D NAND量产1Tb相比,就现在而言三星128层量产的256Gb、512Gb在容量上略逊一筹,这是要害的竞争要素,由于将间接影响到产物的本钱竞争力。

                不外,三星基于128层3D NAND技能也会量产1Tb,这是无须置疑的,只是工夫题目罢了。

                两“虎”相争,良率和量产范围备受存眷!

                固然,产物市场竞争力也不克不及仅仅从3D层数、容量等角度单一权衡,当今的NAND Flash设计更需求综合思索层数、存储单位间距、单位厚度、功耗、全体功能、投资效益等诸多要素,另有量产的良率等等,也是市场竞争的要素。

                据悉,三星新建成的平泽2号工场起首建立的是一条NAND Flash消费线,然后会再投资建立DRAM产线,与平泽一期工场的计划将大要分歧。之前,有报道称三星平泽2号工场(P2)设置装备摆设投资减缓,但近期有相干行业人士表现,三星要求平泽2号工场的设置装备摆设交货日期稳定。三星也在最新季度财报德律风集会上表现,方案在2020年运营平泽2号工场,但尚未确定大范围消费的工夫。

                三星128层第六代V-NAND已量产,2020年投入市场

                平泽工场外貌图

                依据三星现在128层3D NAND技能开展,以及工场进度计划,估计2020上半年投产的方案稳定,且将能够量产的是第六代128层V-NAND。SK海力士128层3D NAND也将在2020年进入投产阶段,新工场除了曾经运营的M15,正在新建的M16工场将在2020年末竣工,这使得业内子士对2020年NAND Flash供给添加表现担心。

                据各原厂技能开展,2020年96层3D NAND才是主流技能,128层3D NAND占比不会太高,并且原厂新工场是为了3D NAND技能顺遂过渡,产出也会视需求而定。至于市场需求,均看好5G手机,物联网、人工智能、车联网等带来的大数据存储需求,对2020 存储财产见解持悲观的态度。

                持续阅读
                要害词 :
                三星 3D NAND
                中国存储网声明:此文观念不代表本站态度,若有版权疑问请联络我们。
                相干阅读
                产物引荐
                头条阅读
                栏目热门

                Copyright @ 2006-2019 ChinaStor.COM 版权一切 京ICP备14047533号

                中国存储网

                存储第一站,存储流派,存储在线交换平台